电掺杂氧化物超导体方格子 t-U-V Hubbard模型的配对相图
超导电性
2025-06-24 v2 强关联电子
摘要
针对电掺杂氧化物超导体的实验观察与Hubbard模型数值结果之间的显著差异，本文通过研究方格子上最近邻(nearest-neighbor, NN)电子相互作用V的作用，探讨了NN电子相互作用V在电子掺杂氧化物超导体中所起作用。当掺杂浓度为δ=0.153时，我们采用受限路径量子分子动力学(CPQMC)方法发现，最近邻电子吸引V可显著驱动一种异域p波自旋三重配对，而最近邻电子排斥V则会抑制d_{x^2-y^2}波(d波)配对并诱发d_{xy}波配对。尤其在中间耦合 regime下，随着NN排斥V的增大，d_{xy}波配对强度也随之增大，进一步抑制d波配对的存在，这或有助于解释电子掺杂氧化物超导体中d波配对显著被抑制的现象。除了配对相图，我们还发现NN电子吸引V对自旋密度波(SDW)和电荷密度波(CDW)几乎没有显著影响，但排斥V显著增强CDW并抑制SDW。我们的研究表明，t-U-V Hubbard模型可作为捕捉电子掺杂氧化物超导体本质物理的最小模型。
引用
@article{arxiv.2502.07079,
title = {Pairing phase diagram for electron-doped cuprates in the square-lattice $t-U-V$ Hubbard model},
author = {Zhangkai Cao and Shuning Tan and Ji Liu and Xiaosen Yang and Tao Ying and Ho-Kin Tang and Cho-Tung Yip},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.07079},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 5 figures