La2CuO4 中 CuO 平面模型的优化
超导电性
2014-10-08 v1 材料科学
强关联电子
摘要
扩展了先前工作的结果，该工作考虑了空穴掺杂对 La2CuO4 中 CuO2 平面简单模型的影响。调整参数旨在固定该材料已知的 2 eV 能隙及其 21 的介电常数。我们再次发现了超导穹顶下方存在“隐藏”相变的迹象。该相变为二级相变，与基态绝缘体态 (AFA) 和显示赝能隙 (PPG) 的激发顺磁态之间的能量重合有关，其临界点位于空穴浓度 xc=0.2 附近。展示了 AFA 和 PPG 相中能带结构和费米面随掺杂演化的情况。在低掺杂区域，空穴开始占据位于布里渊区侧面中点的态，这些态在 AFA 态中具有最强的反铁磁特征。在临界掺杂附近，结果表明在两相中，费米面和填充电子态的能谱趋于重合。
引用
@article{arxiv.1410.1780,
title = {Optimization of a model for the CuO planes in La2CuO4},
author = {Yoandri Vielza de la Cruz and Alejandro Cabo Montes de Oca},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.1780},
year = {2014}
}
备注
8 pages, in Spanish, 20 figures