氢掺杂 LaFeAsO 体系中的多重赝能隙相
超导电性
2017-02-08 v1 材料科学
摘要
利用激光光电子能谱研究了 LaFeAsO1-xHx (0.0 < x < 0.60) 的低能电子结构，该体系在相图中呈现两个超导圆顶。通过对费米能级附近能谱的精确温度依赖测量，我们发现对于所有掺杂范围，态密度随冷却而抑制，即赝能隙形成。低 x 范围（即第一个超导圆顶区域）中的赝能隙随 x 增加而受到抑制，这与先前 F 掺杂 LaFeAsO 体系的结果大致相似。另一方面，高 x 下第二个超导圆顶区域中的赝能隙行为随 H 掺杂水平增加变得更强。系统的掺杂依赖性表明，在存在不同类型反铁磁序的相图两端，赝能隙增强。
引用
@article{arxiv.1604.07940,
title = {Multiple-pseudogap phases in hydrogen-doped LaFeAsO system},
author = {A. Nakamura and T. Shimojima and T. Sonobe and K. Ishizaka and W. Malaeb and S. Shin and S. Iimura and S. Matsuishi and H. Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.07940},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 6 figures