La2-xSrxCuO4中掺杂依赖的态密度和赝隙行为
超导电性
2009-10-31 v2 强关联电子
摘要
我们在从重过掺杂金属到未掺杂绝缘体的宽空穴浓度(x)范围内，对La2-xSrxCuO4进行了高分辨率光电子发射研究。随着x的减小，化学势(\mu)处的谱态密度被抑制，其x依赖性类似于电子比热系数的抑制。在欠掺杂区域，光谱显示出能量尺度约为0.1 eV的赝隙结构。赝隙宽度随x的减小而增加，遵循磁化率和霍尔系数特征温度的x依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806341,
title = {Doping Dependent Density of States and Pseudogap Behavior in La2-xSrxCuO4},
author = {A. Ino and T. Mizokawa and K. Kobayashi and A. Fujimori and T. Sasagawa and T. Kimura and K. Kishio and K. Tamasaku and H. Eisaki and S. Uchida},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806341},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 EPS figures, uses RevTex; few references have been updated