La_{2-x}Sr_xCuO_4 中电荷转移激发的掺杂依赖性
强关联电子
2009-11-10 v2 超导电性
摘要
我们报告了一项关于 中电荷转移激发掺杂依赖性的共振非弹性 X 射线散射（RIXS）研究。在欠掺杂（x=0.05）和最佳掺杂（x=0.17）样品中，研究了这些电荷激发在整个布里渊区的动量依赖性，并与未掺杂（x=0）样品进行了比较。我们观察到 x=0 和 x=0.17 样品之间的 RIXS 谱存在巨大变化，而 x=0.05 样品的 RIXS 谱与 x=0 样品相似。掺杂空穴对电荷激发谱最显著的影响是强度连续谱的出现，该连续谱在 2 eV 以下表现出强烈的动量依赖性。对于 x=0.17 样品，未掺杂化合物最低电荷转移激发的部分谱权重转移到了能隙以下的连续谱强度中，这与早期的光学研究相符。然而，即使对于 x=0.17 样品，较高能量的电荷转移激发仍携带显著的谱权重。此外，还讨论了该电荷转移激发色散的掺杂依赖性，并与近期的理论计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404479,
title = {Doping dependence of charge-transfer excitations in La_{2-x}Sr_xCuO_4},
author = {Young-June Kim and J. P. Hill and Seiki Komiya and Yoichi Ando and D. Casa and T. Gog and C. T. Venkataraman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404479},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures, to appear in Phys. Rev. B