模型超导体 HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$ 中的电荷转移激发

我们报道了对结构简单的化合物 HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$ 在最佳掺杂（$T_{\rm c} = 96.5$ K）下 2-8 eV 范围内电荷转移激发的 Cu $K$ 边共振非弹性 X 射线散射（RIXS）研究。光谱对入射光子能量表现出显著的依赖性，我们仔细利用这一点来分辨一组弱色散（$< 0.5$ eV）的电子-空穴激发多重态，包括位于 2 eV 处的模式。对这一 2 eV 激发的观测表明，在超导相深处存在电荷转移赝能隙。一般而言，我们的数据证明了探索 RIXS 截面入射光子能量依赖性的重要性。