间接 K 边 RIXS 中的偏振依赖性与对称性分析
超导电性
2015-03-13 v1
摘要
我们利用 Cu K 边的共振非弹性 X 射线散射 (RIXS) 对未掺杂 Nd2CuO4 中的电荷转移激发进行了研究。在布里渊区中心，在 CuO2 平面内旋转入射光子偏振的方位角扫描揭示了微弱的四重振荡。对不同布里渊区中采集的光谱进行比较表明，从前向散射到后向散射，高能损处的谱权重有所降低。我们证明，这些是与所观测到的电子激发性质相关的散射光子偏振效应。这两种效应各占非弹性信号的约 10%，而“4p 作为旁观者”近似描述了剩余的 80%。拉曼选择规则可以准确地建模我们的数据，我们得出结论，观测到的依赖于偏振的 RIXS 特征对应于 2.5 eV 能损以上至非键氧 2p 能带的 Eg 和 B1g 电荷转移激发，以及 1.65 eV 处的 Eg d->d 激发。
引用
@article{arxiv.1003.5348,
title = {Polarization dependence and symmetry analysis in indirect K-edge RIXS},
author = {G. Chabot-Couture and J. N. Hancock and P. K. Mang and D. M. Casa and T. Gog and M. Greven},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5348},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures, 2 tables