La2CuO4的入射能量和偏振依赖RIXS研究
强关联电子
2015-06-25 v3 超导电性
摘要
我们展示了Mott绝缘体La2CuO4在1-7 eV能量转移范围内的详细Cu K边共振非弹性X射线散射（RIXS）研究。正如最初在高临界温度超导体HgBa2CuO4+d中发现的那样，光谱表现出多重弱色散的电子-空穴激发，这些激发通过利用散射截面对入射光子能量的微妙依赖性而显现。面内和面外偏振的精细结构之间的高度相似性表明1s核心空穴在CuO2面内诱导电荷激发中起核心作用。另一方面，我们观察到谱重的偏振依赖性，仔细分析揭示了近2 eV处的两个独立特征，这可能与不同的电荷转移过程有关。偏振依赖性表明4p电子对RIXS散射截面有显著贡献。然后应用三阶微扰论证和价电子激发的伴线（shake-up）来解释光谱中的最终能量共振。作为另一种方案，我们讨论了由于1s -> 4p跃迁到窄连续4p带而产生的类荧光发射过程。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607311,
title = {Incident-energy and polarization dependent RIXS study of La2CuO4},
author = {L. Lu and J. N. Hancock and G. Chabot-Couture and O. P. Vajk and G. Yu and K. Ishii and J. Mizuki and D. Casa and T. Gog and M. Greven},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607311},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 9 figures Phys. Rev. B, 74, 224509, (2006) http://link.aps.org/abstract/PRB/v74/e224509