比热法测定的 La_{2-x}Sr_xCuO_4 上临界场对掺杂的依赖性
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
研究了 La_{2-x}Sr_xCuO_4（LSCO）单晶在高达 12 T 的磁场 H 下的低温比热，掺杂范围覆盖 0.063=< p =<0.238。据此，我们绘制了整个超导相图中 LSCO 的上临界场 H_{c2}。发现 H_{c2}表现出与临界温度 T_c 相似的掺杂依赖性。我们讨论了该结果的启示，并提出在欠掺杂区域可能存在一个负责 H_{c2}行为的有效超导能量尺度。
引用
@article{arxiv.0803.0638,
title = {Doping dependence of the upper critical field in La_{2-x}Sr_xCuO_4 from specific heat},
author = {Yue Wang and Hai-Hu Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.0638},
year = {2009}
}
备注
6 pages,3 figures,1 table