LaFeAsO1-xFx中上临界场和霍尔电阻率的掺杂依赖性
超导电性
2015-05-13 v3
摘要
利用60 T脉冲磁体，在宽氟掺杂范围0 ≤ x ≤ 0.14内测量了LaFeAsO1-xFx的电阻率(Rxx)和霍尔电阻率(Rxy)。虽然超导相图(Tc, x)呈现经典穹顶状结构，但我们发现电阻上临界场(Hc2)随氟浓度降低而单调增加，在x = 0.05时达到最大Hc2 ≥ 75 T。这让人联想到高温铜氧化物超导体中的组分依赖性，并可能与欠掺杂区域赝能隙的打开相关。此外，超导样品的Hc2(T)温度依赖性可以用多带超导电性来理解。非超导样品的Rxy数据显示出非线性场依赖性，这也与多载流子图像一致。
引用
@article{arxiv.0809.1133,
title = {Doping dependence of upper critical field and Hall resistivity in LaFeAsO1-xFx},
author = {Y. Kohama and Y. Kamihara and S. A. Baily and L. Civale and S. C. Riggs and F. F. Balakirev and T. Atake and M. Jaime and M. Hirano and H. Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.1133},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures, Accepted by PRB