掺杂与应变显著增强铁基超导体的上临界场
超导电性
2011-11-18 v2 材料科学
摘要
我们报告了通过掺杂和应变调控的 Ba1-xKxAs2Fe2 单晶和 FeSe1-xTex 薄膜在高达 85 特斯拉下的 Hc2(T) 测量结果。我们观察到，与先前结果相比，最佳掺杂 Ba1-xKxAs2Fe2 在 30 K 时 Hc2 增强了近 25 T，且 FeSe1-xTex 在 Tc 附近具有极高的斜率 dHc2/dT = 250-500 T/K，表明轨道对破缺几乎完全被抑制。对 FeSe1-xTex 和最佳掺杂 Ba1-xKxAs2Fe2 中 Hc2(T) 的理论分析预测，对于 H//ab 且 T < 3-10 K 时存在非均匀的 Fulde-Ferrel-Larkin-Ovchinnikov 态，并表明多带铁基超导体中的 Hc2 可通过掺杂和应变得到比传统增加无序方法更有效的增强。
引用
@article{arxiv.1108.5194,
title = {Significant enhancement of upper critical fields by doping and strain in Fe-based superconductors},
author = {C. Tarantini and A. Gurevich and J. Jaroszynski and F. Balakirev and E. Bellingeri and I. Pallecchi and C. Ferdeghini and B. Shen and H. H. Wen and D. C. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.5194},
year = {2011}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B