掺杂驱动的SmFeAsO$_{1-x}$F$_{x}$中SDW关联能隙的坍缩
超导电性
2008-09-23 v2 强关联电子
摘要
我们报道了多晶SmFeAsOF在四种不同氟浓度下,从超导起始到结构相变坍缩过程中的霍尔电阻率。对于两个更高掺杂的样品,在高达50 T的磁场中呈线性关系,且温度依赖性很弱,类似于简单的费米液体。对于的轻掺杂样品,我们发现一个低温区域,其特征是在磁场中既非线性,又强烈依赖于温度,尽管霍尔角很小。该非线性区域的起始温度接近结构相变(SPT)/自旋密度波(SDW)转变的温度。霍尔电阻率的温度依赖性与载流子跨越能隙的热激活行为一致。本文报道了能隙随掺杂的演化。
引用
@article{arxiv.0809.2820,
title = {Doping-Driven Collapse of the SDW Correlation Gap in SmFeAsO$_{1-x}$F$_{x}$},
author = {Scott C. Riggs and R. D. McDonald and J. B. Kemper and Z. Stegen and G. S. Boebinger and F. F. Balakirev and Y. Kohama and A. Migliori and H. Chen and R. H. Liu and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2820},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 4 figures