欠掺杂和过掺杂 La_{2-x}Sr_xCuO_4 单晶具有相同的超导临界性

H. H. Wen; X. H. Chen; W. L. Yang; Z. X. Zhao

doi:10.1103/PhysRevLett.85.2805

欠掺杂和过掺杂 La_{2-x}Sr_xCuO_4 单晶具有相同的超导临界性

超导电性 2009-10-31 v1 强关联电子

作者: H. H. Wen , X. H. Chen , W. L. Yang , Z. X. Zhao

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摘要

通过测量具有相同质量和大致相同转变温度的欠掺杂和过掺杂 La_{2-x}Sr_xCuO_4 单晶的超导抗磁矩，发现欠掺杂样品只有一个对应于 H_{c2} 的转变，而过掺杂样品有两个转变，其中较高的一个在 H_{c2} 处。进一步研究表明，尽管整体电荷密度差异很大，但两种样品的上临界场 H_{c2} 相同，这表明在两个掺杂极限中，超导凝聚过程可能存在非常直接和详细的等价性。过掺杂样品的第二个转变可以理解为宏观相分离产生的超导团簇之间的体耦合。

关键词

超导临界性 La_{2-x}Sr_xCuO_4 欠掺杂过掺杂上临界场抗磁矩相分离

引用

@article{arxiv.cond-mat/0003507,
  title  = {The same superconducting criticality for underdoped and overdoped La_{2-x}Sr_xCuO_4 single crystals},
  author = {H. H. Wen and X. H. Chen and W. L. Yang and Z. X. Zhao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003507},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages (Revtex), 4 figures (PS), submitted to Physical Review Letters

欠掺杂和过掺杂 La_{2-x}Sr_xCuO_4 单晶具有相同的超导临界性

摘要

关键词

引用

备注

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