La-Bi2201单晶的生长与后退火研究

采用助熔剂移动浮区法成功生长了高质量的Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+\delta}$ (0$\leq x \leq$1.00)单晶。X射线衍射图谱表明样品具有高结晶质量。在600 $^o$C流动氧气中后退火后，交流磁化率显示晶体出现尖锐的超导转变。空穴浓度$p$由超导转变温度($T_c$)推导得出，其与La掺杂水平$x$呈线性关系。该范围从重度过掺杂区($p \approx$ 0.2)延伸到超导消失的极度欠掺杂侧($p \approx$ 0.08)。与Bi$_{2+x}$Sr$_{2-x}$CuO$_{6+\delta}$体系中的超导穹顶相比，我们的样品中显示出面外无序的影响。除了La掺杂水平$x$外，超导性还对氧含量敏感，氧含量可通过后退火方法在整个掺杂范围内进行调控。研究了每个La掺杂水平下后退火对$T_c$和$p$的影响，这为过掺杂和欠掺杂区域之间的不同性质提供了一些见解。