轻微掺杂La2-xSrxCuO4单晶中电子比热系数的掺杂演化
超导电性
2010-04-21 v1 强关联电子
摘要
详细研究了轻微掺杂区La2-xSrxCuO4 (LSCO)单晶中电子比热系数γ的掺杂依赖性。我们发现γ随掺杂系统地增加，而且，即使在反铁磁(AF)区的样品中，γ也已获得有限值并随x增长。这表明在低温下输运表现出强局域化的AF区中产生了有限的电子态密度(DOS)，这意味着即使系统仍保持长程AF序，它也不是具有清晰能隙的真正绝缘体。
引用
@article{arxiv.0808.3671,
title = {Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals},
author = {Seiki Komiya and I. Tsukada},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.3671},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in Journal of Physics: Conference Series (LT25 proceeding)