欠掺杂 La_2-xSr_xCuO_4 中的微观电荷非均匀性：局域结构证据
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们给出了欠掺杂和最佳掺杂 La_2-xSr_xCuO_4 中低温下电荷非均匀性存在的局域结构证据。当 时非均匀性消失。电荷非均匀性的证据来自欠掺杂样品中面内 Cu-O 键长分布的异常增加，以及中间程结构中 CuO_6 八面体倾斜非均匀性的证据。该现象温度依赖性的初步分析表明，非均匀性在 60 K < Tco < 130 K 的温度范围内出现，具体取决于掺杂浓度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005032,
title = {Microscopic Charge Inhomogeneities in Underdoped La_2-xSr_xCuO_4: Local Structural Evidence},
author = {S. J. L. Billinge and E. S. Bozin and M. Gutmann and H. Takagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005032},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 7 figures, to appear in J. Supercond., proceedings of the conference "Major Trends in Superconductivity in the New Millenium, Klosters, Switzerland, April 1st-6th 2000"