电子掺杂铁砷化物超导体中的双穹顶结构
超导电性
2015-06-05 v2
摘要
基于LaFeAsO1-xFx材料的铁砷化物超导体的特征在于由空穴和电子口袋组成的二维费米面（FS），在x=0处产生结构和反铁磁转变。通过用F-取代O2-进行电子掺杂抑制了这些转变，并在x=0.1处产生了最大Tc=26K的超导性。然而，由于F-在x>0.2以上溶解度差，无法进入过掺杂区域。在这里，我们通过用氢掺杂LaFeAsO克服了这个问题。我们报告了LaFeAsO1-xHx（x<0.53）的相图，除了在LaFeAsO1-xFx中看到的常规超导穹顶外，我们在0.21<x<0.53范围内发现了第二个穹顶，在x=0.3处最大Tc为36K。密度泛函理论计算显示，三个Fe 3d能带（xy, yz, zx）在x=0.36处变得简并，而FS嵌套随x单调减弱。这些结果表明能带简并在诱导高Tc中具有重要作用。
引用
@article{arxiv.1207.0583,
title = {Two-dome structure in electron-doped iron arsenide superconductors},
author = {Soshi Iimura and Satoru Matuishi and Hikaru Sato and Taku Hanna and Yoshinori Muraba and Sung Wng Kim and Jung Eun Kim and Masaki Takata and Hideo Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.0583},
year = {2015}
}
备注
31 pages, 4 figures, 1 table and supplementary information