掺杂 Mott 绝缘体中的自能增强
强关联电子
2016-01-11 v1
摘要
我们利用 Hubbard 模型的动力学团簇近似，分析了掺杂 Mott 绝缘体中远离费米面的电子自能幅度的增强。对于大的在位排斥 U 和空穴掺杂，在能带顶部 (k=(pi,pi)) 处虚频自能的幅度相对于能带底部 (k=(0,0)) 处的自能幅度有所增强。对于电子掺杂，这两个 k 点处的自能行为发生互换。尽管 (0,0) 处的杂化远大于 (pi,pi) 处，我们证明这并非该差异的根源。在半填充下，化学势向下移动 (mu<U/2) 的孤立团簇重现了在低空穴掺杂嵌入团簇中发现的 (0,0) 和 (pi,pi) 处的整体自能行为。尽管孤立团簇的电子结构没有发生变化，但这种情况依然发生。我们的分析表明，使 Mott 绝缘体产生微弱空穴掺杂的化学势向下移动，可导致 (pi,pi) 处自能的大幅增强，且即使在嵌入团簇中，这也未必与电子关联效应有关。
关键词
引用
@article{arxiv.1508.02320,
title = {Self-energy enhancements in doped Mott insulators},
author = {J. Merino and O. Gunnarsson and G. Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.02320},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 7 figures