轻掺杂莫特绝缘体理论
强关联电子
2015-05-19 v1
摘要
提出了适用于大 U/t 极限、远离半填充的少量掺杂以及短程反铁磁自旋关联的 Hubbard 模型理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面仍呈现为以 (pi/2, pi/2) 为中心的椭圆空穴口袋，其体积与空穴浓度成正比。短程反铁磁关联使得最近邻跃迁几乎无效，因此只有第二或第三近邻跃迁对色散关系有显著贡献。
引用
@article{arxiv.1005.4127,
title = {Theory of the Lightly Doped Mott Insulator},
author = {R. Eder and P. Wrobel and Y. Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4127},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures