彭罗斯拼砌上的掺杂莫特绝缘体
强关联电子
2022-10-06 v1 材料科学
摘要
我们研究了载流子掺杂对彭罗斯拼砌上莫特绝缘体的影响,旨在阐明准周期性与强电子关联之间的相互作用。我们在实空间动力学平均场理论内数值求解彭罗斯拼砌结构上的 Hubbard 模型,该理论能够处理描述莫特绝缘体所必需的非自洽自能以及空间非均匀性。我们发现强关联效应产生了静态平均场近似无法达到的电荷分布。在小掺杂区,能谱在费米能级以上显示出与位置相关的能隙,该能隙由莫特物理涌现的奇大自能产生,并被视为方晶格 Hubbard 模型中观察到的动量依赖赝能隙的实空间对应。
引用
@article{arxiv.2201.05432,
title = {Doped Mott insulator on Penrose tiling},
author = {Shiro Sakai and Nayuta Takemori},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.05432},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 8 figures