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简单莫特绝缘体中费米面重构的电子-空穴掺杂不对称性

强关联电子 2016-08-24 v2

摘要

人们广泛认识到,向莫特绝缘体掺杂的效果是复杂且不可预测的,这通过检查高温TcT_{\rm c}铜酸盐中的霍尔系数可见一斑。由于其简单的电子结构,在掺杂有机莫特绝缘体中,掺杂效应(包括电子-空穴掺杂不对称性)可能更为直接。在此,我们通过电双层晶体管测量并采用团簇微扰理论,研究了有机莫特绝缘体的掺杂不对称性。计算预测,谱权重的强各向异性抑制导致空穴掺杂下的费米弧态,而相对均匀的谱权重导致电子掺杂态中出现类非相互作用费米面。与计算一致,实验观察到的霍尔系数和电阻各向异性对应于空穴掺杂下费米弧形成的口袋,以及电子掺杂下的非相互作用费米面。

关键词

引用

@article{arxiv.1606.09311,
  title  = {Electron-hole doping asymmetry of Fermi surface reconstructed in a simple Mott insulator},
  author = {Yoshitaka Kawasugi and Kazuhiro Seki and Yusuke Edagawa and Yoshiaki Sato and Jiang Pu and Taishi Takenobu and Seiji Yunoki and Hiroshi M. Yamamoto and Reizo Kato},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1606.09311},
  year   = {2016}
}

备注

40 pages with 17 figures, accepted for publication in Nature Communications