掺杂 Mott 绝缘体中赝能隙的 slave fermion 诠释
强关联电子
2023-10-19 v2
摘要
我们应用最近发展的 slave fermion 方法来研究单带 Hubbard 和 Hubbard-Heisenberg 模型中的掺杂 Mott 绝缘体。我们的结果在电子谱中产生了若干细微特征，并确认了反铁磁（AFM）关联在赝能隙出现中的关键作用。在空穴掺杂下，在不包含 AFM 关联的 Hubbard 模型局域近似中，电子谱在费米能附近呈现单峰。当通过显式平均场 Heisenberg 相互作用纳入 AFM 关联时，在略低能量处出现第二个峰，并将另一峰推至更高能量，从而在小掺杂时两峰之间出现赝能隙。两峰均随掺杂增加而迅速增长并最终合并，此时赝能隙不再存在。对随掺杂和 Heisenberg 相互作用强度的谱演化的详细分析确认，低能峰源于 AFM 关联背景中 holon-spinon 相互作用的极化子机制，而高能峰来自 holon 杂化形成电子准粒子。因此，赝能隙源于极化子与杂化机制的相互作用。我们的结果与先前使用动力学平均场理论及其团簇扩展的数值计算吻合良好，但给出了更清晰的基本物理图像。我们的工作为阐明掺杂 Mott 绝缘体的性质提供了有前景的视角，并可作为未来更精细研究的起点。
引用
@article{arxiv.2302.04620,
title = {Slave fermion interpretation of the pseudogap in doped Mott insulators},
author = {Zhuoqing Long and Jiangfan Wang and Yi-feng Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.04620},
year = {2023}
}