掺杂Mott绝缘体仍是绝缘体:铜氧化物中的空穴局域化
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
我们证明,即使在无无序的情况下,轻空穴掺杂的Mott绝缘体在低温下仍然是绝缘体。空穴局域化的发生是因为化学势位于一个在零温下态密度消失的赝能隙中。赝能隙的能量尺度由最近邻单态-三态能级分裂决定。如果不允许向上Hubbard带发生跃迁(无论是虚跃迁还是其他跃迁),该能量尺度将消失,因此赝能隙区的基本长度尺度是双占据位置之间的平均距离。因此,赝能隙与两个极限(为格点Coulomb排斥)和(系统尺寸)的不可交换性相关联。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506772,
title = {Doped Mott insulators are insulators: hole localization in the cuprates},
author = {Ting-Pong Choy and Philip Phillips},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506772},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 .eps files