电子掺杂与空穴掺杂铜氧化物中的关联强度
强关联电子
2015-05-19 v1
摘要
高温超导是通过在由铜氧层和间隔层交替组成的母体化合物中引入空穴实现的。部分母体化合物可以进行电子掺杂，其物理性质与空穴掺杂对应物既有相似之处，也存在显著差异。本文利用近期发展的第一性原理方法研究电子掺杂铜氧化物，阐明其行为与空穴掺杂材料截然不同的深层物理原因。我们发现电子掺杂化合物是Slater绝缘体，即其绝缘行为源于磁长程序的存在。这与空穴掺杂材料形成鲜明对比，后者的母体化合物是Mott电荷转移绝缘体，即其绝缘性源于强电子关联而非磁序。
引用
@article{arxiv.1005.3095,
title = {Strength of Correlations in electron and hole doped cuprates},
author = {Cedric Weber and Kristjan Haule and Gabriel Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3095},
year = {2015}
}
备注
submitted to Nature Physics