电子掺杂与汞基空穴掺杂铜氧化物中关联更弱的直接理论证据

高$T_c$铜氧化物许多重要问题与其母体化合物的绝缘性密切相关。尽管对此已有深入讨论，所有论点都强烈依赖或密切相关于材料的关联强度。由于缺乏对此相互作用（传统上记为$U$）的直接度量，清晰理解受到严重阻碍。本文报道了针对几种不同类型铜氧化物的$U$的第一性原理估算。$U$值随顶氧与铜之间键距的倒数明显增加。我们的结果表明，电子掺杂铜氧化物的关联弱于其空穴掺杂对应物，这支持Slater图像而非Mott图像。此外，$U$值在空穴掺杂家族内部也有显著差异。汞铜氧化物的关联强度明显弱于La$_2$CuO$_4$。我们的结果表明，足以诱导Mott能隙的强关联可能并非高温超导性的先决条件。