二维 Hubbard 模型中 d 波配对态的 BCS 超导体与掺杂 Mott 绝缘体之间的交叉
超导电性
2012-12-14 v2 强关联电子
摘要
着眼于高温铜氧化物,我们使用变分蒙特卡洛方法研究了方格子上 Hubbard (t-t'-U) 模型中关联的 dx2-y2 波超导 (SC) 态和反铁磁 (AF) 态的性质。我们采用了仅包含关键参数的简单试探波函数,例如描述作为掺杂 Mott 绝缘体的关联 SC 态和正常态所必需的双空穴 - 空穴束缚因子。我们系统地计算了相关物理量对 U/t、t'/t 和 \delta(掺杂率)的依赖关系。随着 U/t 的增加,对于任何 t'/t,SC 性质在 U_co/t \sim 10 处发生从传统 BCS 型到动能驱动型的急剧交叉。随着 \delta 减小,U_co/t 平滑地连接到半填充处的 Mott 转变点。对于 U/t\lsim 5,未发现对应于铜氧化物的稳定超导电性,而对于 U/t\gsim 6,d 波 SC 关联函数 Pd^\infty 迅速增加并在 U=U_co 处达到最大值。通过比较 Pd^\infty 的 \delta 依赖性与实验观察到的穹顶状 Tc 和凝聚能,我们发现铜氧化物的有效 值应大于能带宽度,此时 t-J 模型有效。通过分析动能,我们揭示了对于 U>U_co,只有掺杂的空穴(电子)成为电荷载流子,这将形成小的费米面(空穴袋),而对于 U<U_co,所有电子(空穴)都对导电有贡献并将形成普通的大费米面,这与铜氧化物的特征相矛盾。通过引入适当的负(正)t'/t,SC(AF)态得到稳定。在欠掺杂区域,对于 U>U_co,SC 的强度由两个因素决定:即产生单重态对(赝能隙)的 AF 自旋关联,以及由 Mott 物理主导的电荷迁移率。
引用
@article{arxiv.1208.1102,
title = {Crossover between BCS Superconductor and Doped Mott Insulator of d-wave Pairing State in Two-Dimensional Hubbard Model},
author = {Hisatoshi Yokoyama and Masao Ogata and Yukio Tanaka and Kenji Kobayashi and Hiroki Tsuchiura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1102},
year = {2012}
}
备注
27 pages, 40 figures