半满带Hubbard模型中Mott能隙之外的激发态
强关联电子
2022-11-11 v1 超导电性
摘要
结合近期关于Mott绝缘体转变为导体的激发实验，我们研究了二维Hubbard（t-t'-U）模型在半满时、作为准稳态的Mott能隙之外激发态的性质。采用变分蒙特卡洛方法，以顺磁或正常（PM）、d_{x^2-y^2}波超导（d-SC）、各向同性s波与扩展s波对称以及反铁磁（AF）态的试探波函数。激发态通过对最低能态施加最少数量双占据位（doublon）D_L来生成。对于U>W（W：带宽），d_L=D_L/N_s（N_s：格点数）对应于激发强度。我们发现，在d_L<0.14且绝缘的区间内，AF态在我们所处理的态中最稳定。PM与d-SC态在阈值d_Lc之上变为导电，该导电由未束缚的doublon与holon（空位）引起。PM态出现于d_L>0.14，但d-SC态始终被AF态掩盖。s波型超导态在任何参数集下均不稳定。
引用
@article{arxiv.2210.03276,
title = {Excited States beyond Mott Gap in Half-Filled-Band Hubbard Model},
author = {Hisatoshi Yokoyama and Kenji Kobayashi and Tsutomu Watanabe and Masao Ogata},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.03276},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 19 figures. To appear in J. Phys. Soc. Jpn