掺杂相关带绝缘体中的强耦合高 $T_{\rm c}$ 超导性

我们探讨了双层 Hubbard 模型的超导特性，该模型 exhibits 较高的临界温度 ($T_{\rm c}$) 进行 $s_{\pm}$ 配对，使用动态均值场理论的簇扩展。与单层 Hubbard 模型不同，后者通过掺杂 Mott 绝缘体可产生 $d$ 波超导性，而双层系统的母体状态是相关带绝缘体。在 $T_{\rm c}$ 以上，轻微空穴（电子）掺杂引入了电子和空穴薄片之间的惊人二分法：电子（空穴）薄片发展出类间隙，而另一薄片趋于准导带。我们揭示了超导性由掺杂区中动力学（势能）能量损失驱动——在欠掺杂（过掺杂）区域。我们还发现非常短的相干长度，认为这与多轨道物理相关。我们的研究为双层 Hubbard 模型的超导性，特别是与 $\rm La_3Ni_2O_7$ 相关的超导性提供了关键见解。