强关联系统中热电势与热电性的掺杂依赖关系
强关联电子
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
高热电优值半导体的探索已大大得益于对块体材料与纳米复合材料中电子与声子输运的理论建模。近期实验研究了通过掺杂Mott绝缘体得到的“强关联”材料中的热电输运，后者在未掺杂时的绝缘行为源于电子-电子排斥，而非如半导体中源于能带结构。本文应用原子极限与“Heikes”极限下电输运与热输运的统一理论，来理解近期在室温及以上对钠钴氧化物及其他掺杂Mott绝缘体的输运实验。对于最优电子填充，一类广泛的窄带隙关联材料在室温及以上具有与最佳半导体一样高的功率因子（热电优值的电子部分）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609183,
title = {Doping dependence of thermopower and thermoelectricity in strongly correlated systems},
author = {Subroto Mukerjee and J. E. Moore},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609183},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures