关联金属与掺杂 Mott-Hubbard 绝缘体中的热电势与霍尔效应：DMFT 近似
强关联电子
2024-01-23 v1 超导电性
摘要
我们在 Hubbard 模型中针对不同载流子浓度，对关联金属和 Mott 绝缘体（被视为原型铜酸盐超导体）中的热电势和霍尔效应进行了比较理论研究。分析在标准 DMFT 近似下进行。对于 Mott 绝缘体，我们考虑了下 Hubbard 带部分填充的典型情况（空穴掺杂）。我们计算了热电势对掺杂水平的依赖关系，并确定了对应于热电势变号的载流子临界浓度。得到了反常的热电势对温度的依赖性，这与常规金属典型的线性温度依赖性显著不同。在定性层面上分析了无序散射的作用。与霍尔效应的类似研究表明，电子-空穴对称性的破缺导致出现了一个相对较大的能带填充区间（接近半填充），在该区间内热电势和霍尔效应具有不同的符号。我们提出了一种特定的方案，允许从 ARPES 数据中确定载流子数量，并利用电子能谱的常规 DFT 计算对热电势和霍尔系数进行了半定量估计。
引用
@article{arxiv.2306.11463,
title = {Thermoelectric Power and Hall Effect in Correlated Metals and Doped Mott-Hubbard Insulators: DMFT approximation},
author = {E. Z. Kuchinskii and N. A. Kuleeva and M. V. Sadovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.11463},
year = {2024}
}
备注
15 pages, 9 figures