拓扑设计的 Jeff=1/2 电子的准二维反常霍尔莫特绝缘体
强关联电子
2022-07-26 v1
摘要
我们在 [(SrIrO3)1/(CaTiO3)1] 中研究一个赝自旋半平方晶格 Hubbard 哈密顿量的实验玩具模型系统，以同时包含非平庸复跳跃和中等电子关联。前者如弱耦合极限所预期诱导出电子 Berry 相位，后者则稳定了类似于强耦合极限的反铁磁（AFM）莫特绝缘体基态。它们在真实系统中的联合结果被发现是一种具有非单调温度依赖性的反常霍尔效应，源于莫特态中电子-空穴配对的自竞争，以及一种被捕捉为超越超交换方法的巨磁子能隙的异常大的伊辛各向异性。这些不寻常的现象凸显了中等耦合区中电子拓扑与电子关联的丰富相互作用，该区域在理论上很大程度上未被探索且难以建模。
引用
@article{arxiv.2206.01392,
title = {Quasi-2D anomalous Hall Mott insulator of topologically engineered Jeff =1/2 electrons},
author = {Junyi Yang and Hidemaro Suwa and Derek Meyers and Han Zhang and Lukas Horak and Zhaosheng Wang and Gilberto Fabbris and Yongseong Choi and Jenia Karapetrova and Jong-Woo Kim and Daniel Haskel and Philip J. Ryan and M. P. M. Dean and Lin Hao and Jian Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01392},
year = {2022}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. X