Jeff=1/2 Mott半导体中由纵向自旋涨落引起的反常磁电阻
强关联电子
2019-12-09 v1
摘要
作为电子关联的标志，自旋-电荷相互作用支撑了掺杂Mott绝缘体中的许多涌现现象（如高温超导），而半满母态通常电子冻结，具有反铁磁序且抗拒外部控制。我们报道了一种新的正磁电阻的观察，它探测了构建为人工SrIrO3/SrTiO3超晶格的赝自旋半平方晶格Mott绝缘体的交错磁化率。其大小在靠近Néel转变的高温绝缘顺磁相中尤其大。这一新颖磁电阻源于在强自旋轨道相互作用所赋能的外磁场与交错磁化强度间的线性耦合下，对纵向大自旋涨落的集体电荷响应。我们的结果展示了在Slater-Mott交叉区中涨落粒子-空穴对结合能的磁控制，类似于超冷超流体的BCS到玻色-爱因斯坦凝聚交叉。
引用
@article{arxiv.1910.13611,
title = {Anomalous Magnetoresistance due to Longitudinal Spin Fluctuations in a Jeff = 1/2 Mott Semiconductor},
author = {Lin Hao and Zhentao Wang and Junyi Yang and D. Meyers and Joshua Sanchez and Gilberto Fabbris and Yongseong Choi and Jong-Woo Kim and Daniel Haskel and Philip J. Ryan and Kipton Barros and Jiun-Haw Chu and M. P. M. Dean and Cristian D. Batista and Jian Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13611},
year = {2019}
}
备注
Accepted by Nature communications