金属与莫特绝缘体边界附近的激发

考虑了一个半无限金属与莫特绝缘体构成的异质结构。假设两种材料具有相同的晶格间距和跳跃积分，其区别在于哈伯德排斥项：该项在金属中可忽略，而在绝缘体中超过莫特转变的临界值。在半满填充和低温条件下，绝缘体具有长程反铁磁序。其低能元激发是驻立自旋波和一种局域于界面附近、具有二维色散关系的自旋波模式。该模式将体模从边界区域排挤出去。绝缘体的反铁磁有序会在金属中诱导出反铁磁序，其中磁化强度随距界面的距离呈指数衰减。该衰减的特征关联长度等于5-6个晶格间距。