Mott绝缘体的量子相与相变
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
本文对空间维度大于1的反铁磁Mott绝缘体的物理性质进行了理论综述。在过去十五年中，许多此类材料已被实验研究，我们将与这些研究进行对照。最简单的一类Mott绝缘体每个晶胞具有偶数个S=1/2自旋，可以通过键算符方法进行定量精确的描述：我们讨论了它们的自旋隙和磁有序态，以及由压力或外加磁场驱动的它们之间的转变。每个晶胞具有奇数个S=1/2自旋的情况更为微妙：这里自旋隙态可以自发地发展出键序（因此基态再次具有偶数个S=1/2自旋每个晶胞），和/或获得拓扑序和分数化激发。我们描述了此类自旋隙态形成的条件，并综述了关于这些态与磁有序态之间量子相变的最新理论（T. Senthil等人，cond-mat/0312617）。我们描述了在这些量子临界点处Landau-Ginzburg-Wilson范式的失效，以及伴随出现的涌现规范激发。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401041,
title = {Quantum phases and phase transitions of Mott insulators},
author = {Subir Sachdev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401041},
year = {2009}
}
备注
51 pages, 13 figures