金属 - 莫特绝缘体界面处的态密度与磁关联

强关联材料与弱关联材料界面处可能出现的新奇行为近期受到了越来越多的关注。在本文中，我们利用行列式量子蒙特卡洛（determinant Quantum Monte Carlo）方法，确定了二维 Hubbard 哈密顿量中界面两侧金属物理与莫特绝缘体物理的相互渗透。我们量化了费米能级处的态密度以及短程和长程反铁磁性随距界面距离的变化关系，并考察了不同相互作用强度、温度及界面跃迁的影响。结果表明，诱导产生的金属行为可延伸至绝缘体侧数个晶格间距，而反铁磁关联在金属侧仍然较弱。在较大的界面跃迁下，两个边界层之间形成单重态，从而屏蔽了两个系统间的相互影响。