电子掺杂钴酸盐超导体中的超导电性与磁涨落

基于动能驱动的超导电性机制，我们研究了电子掺杂钴酸盐 Na$_{x}$CoO$_{2}\cdot y$H$_{2}$O 中超导电性与反铁磁自旋涨落之间的相互作用。我们表明，超导态由电荷载流子配对和准粒子相干性共同支配，并呈现出与实验结果一致的常见穹顶状相图。通过计算动力学自旋结构因子，我们在理论上发现磁激发在低能宽范围内显示出位于反铁磁波矢 $Q (\frac{2\pi}{3},\frac{2\pi}{\sqrt{3}})$ 处的公度共振峰，随后随着能量增加向外演化为六个非公度磁散射峰。这种公度 - 非公度自旋共振激发应通过非弹性中子散射技术 (INS) 进行测量。我们目前的结果强烈表明，磁共振确实可以是掺杂 Mott 绝缘体的基本特征之一。