有限温度下的电荷动力学与 Mott 绝缘体的熔化
强关联电子
2019-07-01 v3
摘要
Mott 绝缘体是典型的强关联电子态。我们将 slave-fermion（holon-doublon）描述推广到有限温度，从而获得对二维 Mott 绝缘体物理的完整认识。我们首先将其预言与最先进的量子蒙特卡洛模拟进行基准比较，展示了定量一致。在定性上，短程自旋涨落既诱导 holon-doublon 束缚态，又重整化电荷扇区以形成 Hubbard 带。Mott 能隙被理解为被这些自旋涨落向下重整化的电荷能隙。随着温度升高，Mott 能隙在电荷能隙之前关闭，从而在 Mott 绝缘体熔化过程中自然地出现赝能隙区。
引用
@article{arxiv.1808.09994,
title = {Finite-Temperature Charge Dynamics and the Melting of the Mott Insulator},
author = {Xing-Jie Han and Chuang Chen and Jing Chen and Hai-Dong Xie and Rui-Zhen Huang and Hai-Jun Liao and Bruce Normand and Zi Yang Meng and Tao Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.09994},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 10 figures