莫特绝缘体中有限温度下的涌现半金属
强关联电子
2022-03-22 v3
摘要
在高温下维持奇异量子力学相是凝聚态物理的长期目标。其中，半金属是自旋极化导体，对实现室温自旋流源至关重要。然而，典型的半金属是低温相，其自旋极化随温度升高迅速恶化。在此，我们首先表明，具有两自旋通道不等电荷能隙的低温绝缘体可源于莫特绝缘与能带绝缘倾向的竞争。我们确立热涨落可通过一级相变关闭一个自旋通道的电荷能隙，从而驱动该绝缘体变为半金属。此半金属在金属化起始温度处具有 100% 自旋极化。此外，改变电子排斥强度可在保持自旋极化的同时提高起始温度。我们概述了实现这种可调有限温度半金属的实验方案。
引用
@article{arxiv.2106.05732,
title = {Emergent Half Metal at Finite Temperatures in a Mott Insulator},
author = {Gour Jana and Abhishek Joshi and Subhajyoti Pal and Anamitra Mukherjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.05732},
year = {2022}
}
备注
Published version