有限温度下半金属的自旋注入
材料科学
2012-12-05 v2
摘要
结合随机矩阵理论、自旋扩散理论和紧束缚 s-d 模型的显式模拟，分析了热自旋无序存在下半金属电极的自旋注入。研究表明，只要正常金属的有效电阻不超过一个特征值，就可以实现从半金属的高效自旋注入；该特征值不依赖于半金属电极的电阻，而是由界面处的自旋翻转散射控制。该条件可表述为\alpha<(l/L)/T，其中\alpha是磁化强度相对于饱和值的相对偏差，l和L分别是非磁性通道中的平均自由程和自旋扩散长度，T是界面处隧道势垒的透明度（如果存在）。紧束缚 s-d 模型计算证实了这些一般性结论。粗略估计表明，在室温下，真正的半金属铁磁体通过透明界面向硅或铜进行高效自旋注入是可能的。
引用
@article{arxiv.1210.7194,
title = {Spin injection from a half-metal at finite temperatures},
author = {K. D. Belashchenko and J. K. Glasbrenner and A. L. Wysocki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7194},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 4 figures, revtex4-1; expanded introduction, added references, additional comments in Section V, fixed typos