电气自旋注入理论：隧道接触作为电导率失配问题的解决方案
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
presented 电气自旋注入从铁磁 (FM) 金属注入到正常 (N) 导体的理论。我们展示, 隧道接触 (T) 可以显著增加自旋注入, 并解决 FM 金属与半导体微结构电导率失配的问题。我们还给出了 FM-T-N- 和 FM-T-N-T-FM 结构 junctions 中隧道接触接口的自旋阱阻的显式表达式, 并指出该阻抗包括正向和负向贡献 (Kapitza 阻抗和注入电导, respectively)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010473,
title = {Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem},
author = {E. I. Rashba},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010473},
year = {2009}
}
备注
4 pages, to appear in Phys. Rev. B (rapid communications)