从磁性金属/隧道阻 barrier 接触注入半导体中的高效电子自旋
材料科学
2009-11-07 v2
摘要
我们报告了从铁磁性金属接触注入半导体发光二极管结构中的电子自旋，注入效率达30%，且在室温下仍保持稳定。在Fe/AlGaAs界面形成的肖克势垒为在反向偏置下注入自旋偏极电子提供了天然隧道阻抗。这些载流子发射热发射光，光学和载流子自旋极化之间的量子选择规则提供了注入效率的定量、模型无关的测量。这一结果表明，可以使用广泛采用的接触方法形成自旋注入接触，为半导体加工技术中集成自旋输运提供了便利的途径。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110059,
title = {Efficient Electrical Spin Injection from a Magnetic Metal / Tunnel Barrier Contact into a Semiconductor},
author = {Aubrey T. Hanbicki and B. T. Jonker and G. Itskos and G. Kioseoglou and A. Petrou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110059},
year = {2009}
}
备注
14 pages including 3 figures, version accepted by Applied Physics Letters - A. Hanbicki, et al. Appl. Phys. Lett. 80 (7), p.TBD (2002)