通过肖特基势垒超晶格设计增强自旋注入
介观与纳米尺度物理
2009-09-28 v1 材料科学
摘要
我们预测，利用基于InAs/AlSb超晶格设计的肖特基势垒，可以实现从磁性金属到InAs基半导体的高效室温自旋注入。对于大多数金属，InAs的肖特基势垒为负，而AlSb的为正。对于此类金属，存在导带边与金属费米能级完美对齐的InAs/AlSb超晶格。初始AlSb层的厚度可以生长到产生所需界面电阻所需的厚度。我们证明，此类超晶格的导电性和自旋寿命足够高，能够实现从铁磁金属的高效自旋注入。
引用
@article{arxiv.0909.4594,
title = {Spin Injection Enhancement Through Schottky Barrier Superlattice Design},
author = {Joseph Pingenot and Michael E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4594},
year = {2009}
}