利用 SiO$_2$ 中间层介电质调控 $\beta$-Ga$_2$O$_3$ 的肖特基势垒高度
应用物理
2020-03-03 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
本文报道了通过在金属-半导体结处插入超薄 SiO 介电中间层，对三种不同取向的 -GaO 的肖特基势垒高度（SBH）进行调制，该方法可潜在地降低由金属诱导隙态（MIGS）引起的费米能级钉扎（FLP）效应。在沿 (010)、(-201) 和 (100) 取向的体掺杂 n 型 -GaO 单晶衬底上制备了 Pt 和 Ni 的金属-半导体（MS）与金属-中间层-半导体（MIS）肖特基势垒二极管，并通过室温电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测量进行表征。与各自的 MS 二极管相比，Pt MIS 二极管在 (010) 和 (-201) 取向上的 SBH 分别增加了 0.53 eV 和 0.37 eV。使用 Pt 金属在 (010) 取向的 MIS SBD 上实现了 1.81 eV 的最高 SBH。(100) 取向衬底上的 MIS SBD 表现出 SBH 的显著增加（>）以及反向漏电流的降低。使用薄介电中间层可成为一种调控金属/GaO 结 SBH 的有效实验方法。
引用
@article{arxiv.2001.07326,
title = {Schottky Barrier Height Engineering In $\beta$-Ga$_2$O$_3$ Using SiO$_2$ Interlayer Dielectric},
author = {Arkka Bhattacharyya and Praneeth Ranga and Muad Saleh and Saurav Roy and Michael A. Scarpulla and Kelvin G. Lynn and Sriram Krishnamoorthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07326},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 10 figures, 2 tables