Co/n-Ge 肖特基接触的物理性质
材料科学
2013-06-04 v1
摘要
为了研究界面态对肖特基接触物理性质的作用，我们通过透射电子显微镜 (TEM)、深能级瞬态谱 (DLTS) 以及对二极管特性温度依赖性的详细分析，研究了经过各种清洗方法（HF 蚀刻和原位热清洗）的 Co/n-Ge 肖特基二极管。结果表明，肖特基势垒高度特性对界面性质敏感。最强的费米能级钉扎和最高的空间不均匀性出现在紧密的金属/半导体接触中。薄氧化物中间层（即使是 Ge 原生氧化物）的存在使得费米能级能够向导带释放，并导致更均匀的接触。最后，我们的结果表明，纯 GeO2 氧化物中间层应比原生 Ge 氧化物表现出更好的去钉扎效率。
引用
@article{arxiv.1306.0459,
title = {Physical properties of Co/n-Ge Schottky contacts},
author = {Luc Lajaunie and Marie-Laure David and Jean-François Barbot},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.0459},
year = {2013}
}