石墨烯-半导体接触

本文给出了石墨烯-半导体结的系统性处理。石墨烯费米能级处的有限态密度导致石墨烯-半导体界面出现奇异的电学性质。一般而言，由于石墨烯的内势，肖特基-莫特极限与势垒高度求和规则均被打破。通过融合半导体-半导体与金属-半导体结的主要特征，石墨烯-半导体接触可被视为一种前所未有的半金属-半导体结的原型。广义界面方程揭示了结特性与石墨烯中电荷载流子密度的耦合关系。我们将表明，众所周知的势垒高度可调效应与结电容直接相关。此外，研究了在势垒可调存在下镜像力效应的相对影响。详细讨论了获取结的内建电势、势垒高度和电容的实验方法。通过分析实验数据，还揭示了石墨烯-硅样品界面处强反型层的形成。