费米能级钉扎在栅可调石墨烯-半导体结中的作用
介观与纳米尺度物理
2016-11-03 v1
摘要
由于石墨烯中不存在能隙，依赖传统结构的石墨烯晶体管无法正常开关。为克服这一限制，人们提出了 barristor 器件，其工作原理是通过顶栅调制石墨烯-半导体（GS）肖特基势垒，并展示了高达 的开关电流比。如此大的数值可能归因于实现了几乎没有界面陷阱电荷的超洁净界面。然而，了解界面陷阱电荷对 barristor 电学特性可能产生的影响确实具有技术相关性。我们建立了一个栅可调 GS 异质结构的物理模型，其中考虑了费米能级钉扎（FLP）和“偏压依赖势垒降低效应”等非理想因素。利用该模型，我们对 barristor 的预期数字性能进行了全面研究。
引用
@article{arxiv.1609.01077,
title = {The role of the Fermi level pinning in gate tunable graphene-semiconductor junctions},
author = {Ferney A. Chaves and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.01077},
year = {2016}
}