界面形貌对肖特基势垒高度的影响：Al/GaAs(001)的案例研究
材料科学
2009-10-30 v1
摘要
我们从Al/GaAs的第一性原理计算出发，重新探讨了半导体-金属接触处的费米能级钉扎问题。我们给出了定量证据，表明肖特基势垒高度几乎不受金属侧任何结构畸变的影响——包括金属-半导体键的伸长（即界面应变）——而强烈依赖于半导体侧的界面结构。我们根据离子有效电荷产生的界面偶极子对这些发现给出了合理解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9704157,
title = {The effects of interface morphology on Schottky barrier heights: a case study on Al/GaAs(001)},
author = {Alice Ruini and Raffaele Resta and Stefano Baroni},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9704157},
year = {2009}
}
备注
5 pages, latex file, 2 postscript figures automatically included