极性金属/半导体界面处的肖克基势垒高度
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们采用第一性原理赝势方法，研究了Al/Ge、Al/GaAs、Al/AlAs和Al/ZnSe(100)界面肖克基势垒高度，以及这些势垒高度随半导体化学组成和表面终止情况的依赖性。我们发展了一种基于线性响应理论的模型，能够简单而准确地描述势垒高度随半导体化学组成变化的规律。对于阴离子终止的表面所发现的较大势垒值，通过解释极性半导体表面的屏幕化电荷及其在金属表面的像电荷而得以解释。原子尺度的计算显示，经典的像电荷概念（适用于距离金属较大的距离处的电荷）可延伸至金属诱导隧束态衰减长度小于等于的距离。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306404,
title = {Schottky barrier heights at polar metal/semiconductor interfaces},
author = {C. Berthod and N. Binggeli and A. Baldereschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306404},
year = {2007}
}
备注
REVTeX 4, 11 pages, 6 EPS figures