亚波动半导体-超导体异构结构中的安德烈耳散射与电导增强
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
研究亚波动半导体-超导体异构结构中的安德烈耳散射及电导增强时，面临的根本困难之一是界面常数形成的大型 Schottky 势垒。为改善超导体与半导体异构结构中二维电子气 (2DEG) 之间的接触，投入了大量技术努力，近年来已可实现 GaAs-Al、GaAs-In 和 InAs-Nb 异构结构。这种发展为对样品特定传输性质进行定量理论建模提供了动力。我们的工作旨在对带有 QPC 的正常区以及考虑弱 Schottky 势垒和/或半导体与超导体非匹配费米面特性的 2DEG-S 界面进行散射，建模其导电性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911372,
title = {Andreev scattering and conductance enhancement in mesoscopic semiconductor-superconductor junctions},
author = {Niels Asger Mortensen and Antti-Pekka Jauho and Karsten Flensberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911372},
year = {2007}
}
备注
2 pages including 3 figures. Extended abstract for "Electron Transport in Mesoscopic Systems", 12-15 August 1999, Gotenburg, Sweden (LT22 satelite)