高掺杂 Si 与不同超导体介观结的输运研究
超导电性
2021-01-08 v1
摘要
我们通过点接触 Andreev 反射（PCAR）谱研究了半导体（Sm）高掺杂 Si 与不同超导体（Sc）的介观结的输运性质。Si 与 In 的低透明点接触谱显示出 In 超导能隙的增强。这是由于 Sm-Sc 界面处肖特基势垒引起的附加能隙效应所致。对于更高透明度的 Si-Nb 和 Si-Pb 点接触，未观察到能隙增强，尽管存在弱的次能隙特征。这些特征源于已知在高透明度 Sm-Sc 结中发生的邻近诱导界面超导。
引用
@article{arxiv.2101.02401,
title = {Transport across meso-junctions of highly doped Si with different superconductors},
author = {Pradnya Parab and Sangita Bose},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.02401},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 5 figures